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氧化鋅壓敏電阻器已廣泛應(yīng)用于過電壓保護、浪涌吸收、過電流泄放等方面,是防護電氣電子設(shè)備因受雷電閃擊及其他瞬態(tài)電磁干擾造成傳導過電壓危害的有效器件,它的性能直接影響安全保護效果。因氧化鋅壓敏電阻在系統(tǒng)或設(shè)備運行中必然存在老化劣化現(xiàn)象,

故必須對其進行定期檢測,以防止老化劣化產(chǎn)品仍工作在系統(tǒng)或設(shè)備中。然而,目前檢測方法所判定的壓敏電壓U1mA和漏電流I

leakage兩個參數(shù)都存在拐點效應(yīng),即只有當MOV劣化到一定程度后,U1mA和Ileakage才會出現(xiàn)顯著變化;而在這個拐點之前U1mA和

Ileakage都符合SJ/T10349-93測試標準的要求[8],這就給檢測結(jié)果帶來不確定性。某個產(chǎn)品自身已經(jīng)老化劣化到一定程度需要及時更換,但U1mA和Ileakage檢測值仍然合格。

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限制電壓Up  

限制電壓(V)指壓敏電阻器兩端所能承受的電壓值。限制電壓Up是殘壓UR的一種特殊形式，也是考核特定規(guī)格的壓敏電阻抑制瞬態(tài)過電壓能力的特征指標。限制電壓Up實際上是生產(chǎn)廠家向用戶承諾的每個規(guī)格產(chǎn)品的保護電壓水平。

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ZnO壓敏電阻器的結(jié)構(gòu)：

晶粒體為電阻率很低的半導體，晶界為絕緣體，類似邊界層電容器，另在晶界形成兩背靠背的肖特基勢壘。因鄰近晶粒的取向不同，兩晶粒交界處結(jié)構(gòu)松弛，雜質(zhì)占據(jù)這些位置比占據(jù)體內(nèi)晶格位置的能量低，所以容易在晶界偏析。

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